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產(chǎn)品展示PRODUCTS

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美國GPD銦鎵砷InGaAs光電探測器（0.5um-2.6um）

GPD公司介紹
美國GPD銦鎵砷InGaAs光電探測器（0.5um-2.6um），GPD成立于1973年，主要提供，鍺P-N、P-I-N、APD以及銦鎵砷高速P-I-N管、大面元光電探測器，并且能夠根據(jù)客戶的需求定制。
產(chǎn)品時(shí)間：2016-08-25
訪問量：3579

美國GPD銦鎵砷InGaAs光電探測器（0.5um-2.6um）

InGaAs探測器產(chǎn)品介紹

Paremeter

Active area（mm）

Cut off wavelength

A/W min. (typ.)

NEP  W/ÖHz min.

Dark Current max.

Package

LD-GAP500

05

1.7um

0.95@1550nm

0.8x10-14

30 @5V(nA)

TO46

LD-GAP1000

1

1.7um

0.95@1550nm

1x 10-14

100 @5V(nA)

TO46

LD-GAP2000

2

1.7um

0.95@1550nm

3 x10-14

200 @1V(nA)

TO5

LD-GAP3000

3

1.7um

0.95@1550nm

5 x10-14

500 (@1V(nA)

TO5

LD-GAP5000

5

1.7um

0.95@1550nm

28 x10-14

10mA(@0.3V(nA)

TO5

LD-GAP300-1.9

0.3

1.9um

0.9/1.0

3 x10-14

0.1@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-1.9

0.5

1.9um

0.9/1.0

9 x10-14

0.9@1V(uA)

TO46

LD-GAP1000-1.9

1

1.9um

0.9/1.0

0.13 x10-12

4@1V(uA)

TO46

LD-GAP2000-1.9

2

1.9um

0.9/1.0

0.26x10-12

10@1V(uA)

TO5

LD-GAP3000-1.9

3

1.9um

0.9/1.0

0.38 x10-12

22.5@1V(uA)

TO5

LD-GAP300-2.05

0.3

2.05um

0.9/1.0

5.7 x10-14

0.5@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-2.05

0.5

2.05um

0.9/1.0

8.1 x10-14

1@1V(uA)

TO46

LD-GAP1000-2.05

1

2.05um

0.9/1.0

23.4 x10-14

4@1V(uA)

TO46

LD-GAP2000-2.05

2

2.05um

0.9/1.0

42.8 x10-14

10@1V(uA)

TO5

LD-GAP3000-2.05

3

2.05um

0.95/1.1

90.7 x10-14

12@0.5V(uA)

TO5

LD-GAP300-2.2

0.3

2.2um

0.9/1.0

0.14x10-12

1@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-2.2

0.5

2.2um

0.9/1.0

0.22x10-12

5@1V(uA)

TO46

LD-GAP1000-2.2

1

2.2um

0.9/1.0

0.46x10-12

10@1V(uA)

TO46

LD-GAP2000-2.2

2

2.2um

0.9/1.0

1.28 x10-12

40@1V(uA)

TO5

LD-GAP3000-2.2

3

2.2um

0.9/1.0

2.87x10-12

100@1V(uA)

TO5

LD-GAP300-2.6

0.3

2.6um

0.9/1.0

0.81x10-12

13@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-2.6

0.5

2.6um

0.9/1.0

1.43x10-12

20@0.5V(uA)

TO46

LD-GAP1000-2.6

1

2.6um

0.9/1.0

2.03x10-12

80@0.5V(uA)

TO46

LD-GAP2000-2.6

2

2.6um

1.0

3.31x10-12

320@0.5V(uA)

TO5

LD-GAP3000-2.6

3

2.6um

1.0

5.74x10-12

500@0.5V(uA)

TO5

 

提供專業(yè)定制，封裝形式多樣，可根據(jù)客戶要求選擇封裝形式，并客戶可依據(jù)需求定制不同的封裝的產(chǎn)品以及可定制TE制冷產(chǎn)品。

美國GPD銦鎵砷InGaAs光電探測器（0.5um-2.6um）

Paremeter

Active area（mm）

Cut off wavelength

A/W min. (typ.)

NEP  W/ÖHz min.

Dark Current max.

Package

LD-GAP1000TE1

1

1.7um

0.95/1.0

5.4x10-15

3@5V(nA)

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1

2

1.1x10-14

20@2V(nA)

LD-GAP3000TE1

3

1.1x10-14

50@2V(nA)

LD-GAP5000TE1

5

2.4x10-14

100@0.1V(nA)

LD-GAP1000TE1-2.05

1

2.05um

0.9/1.0

5.4x10-14

500@1V(nA)

 

 

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1-2.05

2

1.3x10-13

1100@1V(nA)

LD-GAP3000TE1-2.05

3

3.2x10-13

1360@1V(nA)

LD-GAP1000TE1-2.2

1

2.2um

0.9/1.0

1.6x10-13

1250@1V(nA)

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1-2.2

2

1.1x10-12

5000@1V(nA)

LD-GAP3000TE1-2.2

3

5.5x10-13

6250@0.5V(nA)

LD-GAP1000TE1-2.6

1

2.6um

0.9/1.0

6x10-13

8000@0.5V(nA)

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1-2.6

2

9.8x10-13

32000@0.5V(nA)

LD-GAP3000TE1-2.6

3

1.7x10-12

50000@0.5V(nA)

LD-GAP1000TE2

1

1.7um

0.95/1.0

3.7x10-15

2@5V(nA)

TO8/TO66

LD-GAP2000TE2

2

5.3x10-15

10@2V(nA)

LD-GAP3000TE2

3

7.5x10-15

20@2V(nA)

LD-GAP5000TE2

5

1.7x10-14

50@0.1V(nA)

LD-GAP1000TE2-2.05

1

2.05um

0.9/1.0

3.7x10-14

200@1V(nA)

 

TO8/TO66

LD-GAP2000TE2-2.05

2

9.6x10-14

240@1V(nA)

LD-GAP3000TE2-2.05

3

2x10-13

700@0.5V(nA)

LD-GAP1000TE2-2.2

1

2.2um

0.9/1.0

1.2x10-13

700@1V(nA)

TO8/TO66

LD-GAP2000TE2-2.2

2

2.9x10-13

2900@1V(nA)

LD-GAP3000TE2-2.2

3

4.1x10-13

3600@0.5V(nA)

LD-GAP1000TE2-2.6

1

2.6um

0.9/1.0

4x10-13

3600@0.5V(nA)

TO8/TO66

LD-GAP2000TE2-2.6

2

6.5x10-13

14500@0.5V(nA)

LD-GAP3000TE2-2.6

3

1.1x10-12

22700@0.5V(nA)

 

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